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有機(jī)硅介電常數(shù)測(cè)試儀

型 號(hào)GDAT-A

更新時(shí)間2023-08-10

廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家

報(bào)價(jià)20000

產(chǎn)品描述:有機(jī)硅介電常數(shù)測(cè)試儀平板電容器:

極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm可選

極片間距可調(diào)范圍:≥15mm

產(chǎn)品概述

有機(jī)硅介電常數(shù)測(cè)試儀概述:介電常數(shù)設(shè)備測(cè)試頻率上限達(dá)到目前國(guó)內(nèi)0高的160MHz。雙掃描技術(shù):測(cè)試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動(dòng)調(diào)諧搜索功能。雙測(cè)試要素輸入:測(cè)試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過(guò)數(shù)字按鍵輸入。雙數(shù)碼化調(diào)諧:數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。自動(dòng)化測(cè)量技術(shù):對(duì)測(cè)試件實(shí)施 Q 值、諧振點(diǎn)頻率和電容的自動(dòng)測(cè)量。全參數(shù)液晶顯示:數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號(hào)源頻率、諧振指針。

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DDS數(shù)字直接合成的信號(hào)源:確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。計(jì)算機(jī)自動(dòng)修正技術(shù)和測(cè)試回路0優(yōu)化:使測(cè)試回路,殘余電感減至0低,* Q 讀數(shù)值在不同頻率時(shí)要加以修正的困惑。介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀又稱介電常數(shù)測(cè)試儀、介質(zhì)損耗測(cè)試儀、介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀、介質(zhì)損耗角正切測(cè)試儀、高頻/工頻介電常數(shù)測(cè)試儀。作為0新一代的通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試儀器。

有機(jī)硅介電常數(shù)測(cè)試儀符合標(biāo)準(zhǔn):GB/T1409、GB/T5594產(chǎn)品用途:固體、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試

適用材料:橡膠塑料薄膜、陶瓷玻璃、絕緣材料、高分子材料等測(cè)試范圍:10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ

主要配置:主機(jī)Q表、夾具、電感組成測(cè)試項(xiàng)目:介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值

使用人群:科研所、教學(xué)、質(zhì)量監(jiān)督局、單位等

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“Q"表示元件或系統(tǒng)的“品質(zhì)因數(shù)",其物理含義是在一個(gè)振蕩周期內(nèi)貯存的能量與損耗的能量之比。對(duì)于電抗元件(電感或電容)來(lái)說(shuō),即在測(cè)試頻率上呈現(xiàn)的電抗與電阻之比。調(diào)諧電容有步進(jìn)馬達(dá)帶動(dòng),根據(jù)不同電容值由CPU計(jì)算脈沖數(shù)去控制馬達(dá)。電容值可預(yù)置并可電容搜索。  工作頻率值、頻段、主調(diào)電容器值、諧振電感值、Q值、Q值比較設(shè)置狀態(tài)、Q值量程、手/自動(dòng)狀態(tài)、頻率或電容搜索指示、Q值調(diào)諧指示帶。

 自然頻率法(此法可獲得較準(zhǔn)確的結(jié)果)將被測(cè)線圈接在“Lx"接線柱上;將微調(diào)電容器度盤(pán)調(diào)至零,調(diào)諧電容器度盤(pán)調(diào)到zui大電容值C1; 調(diào)訊號(hào)源頻率,使回路諧振,該頻率為f1;取下被測(cè)線圈,換上一個(gè)能在調(diào)諧電容器調(diào)節(jié)范圍內(nèi)和十倍于f1頻率諧振的電感;訊號(hào)源調(diào)到10 f1位置,調(diào)節(jié)調(diào)諧電容器到諧振點(diǎn);

將被測(cè)線圈接在"Cx"兩端,調(diào)節(jié)調(diào)諧電容器達(dá)諧振,此時(shí)視電容讀數(shù)是增加還是減小。若增加,則應(yīng)將振蕩器頻率調(diào)高些,若減小,則頻率調(diào)低些。

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