高頻塑料介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀特點(diǎn)： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

高頻塑料介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

電感器：

按測(cè)試頻率要求，需要配置不同量的電感器。

例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配250μH電感器，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。

高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。

該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu)，以保證測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

裝置：

2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 
2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF）
2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4

主要技術(shù)特性：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至zui低，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等。