介電常數(shù)測(cè)試儀生產(chǎn)廠家特點(diǎn)： 

◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH，保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。獨(dú)立信號(hào)   源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數(shù)測(cè)試儀生產(chǎn)廠家主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

使用方法

1. 被測(cè)樣品的準(zhǔn)備

被測(cè)樣品要求為園形，直徑25.4～27mm，這是減小因樣品邊緣泄漏和邊緣電場(chǎng)引起的誤差的有效辦法。樣品厚度可在1～5mm之間，如太薄或太厚則測(cè)試精度就會(huì)下降，樣品要盡可能平直。

下面推薦一種能提高測(cè)試精確性的方法：準(zhǔn)備二片厚0.05mm的園形錫膜，直徑和平板電容器極片*，錫膜兩面均勻地涂上一層薄薄的凡士林，它起粘著作用，又能排除接觸面之間殘余空氣，把

錫膜再粘在平板電容器兩個(gè)極片上，粘好后，極片呈鏡面狀為佳，然后放上被測(cè)樣品。

測(cè)試順序

先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法，操作時(shí)，要避免人體感應(yīng)的影響。

1. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于zui小電容量，微調(diào)電容置于－3pF。
2. 把本測(cè)試裝置插到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
3. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈
4. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿，使二極片相接為止，讀取刻度值記為D_O。
5. 再松開二極片，把被測(cè)樣品插入二極片之間，調(diào)節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過(guò)緊或過(guò)松），這時(shí)能讀取新的刻度值，記為D₁，這時(shí)樣品厚度D₂= D₁－D₀。
6. 把園筒電容器置于5mm處。
7. 改變配合Q表頻率，使之諧振，讀得Q值。
8. 先順時(shí)針?lè)较?，后逆時(shí)針?lè)较?，調(diào)節(jié)園筒電容器，讀取當(dāng)Q表指示Q值為原值的一半時(shí)測(cè)微桿上二個(gè)刻度值，取這二個(gè)值之差，記為M₁。
9. 再調(diào)節(jié)園筒電容器，使Q表再次諧振。
10. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q表又失諧，調(diào)節(jié)平

板電容器，使再諧振，讀取測(cè)微桿上的讀值D₃，其變化值為

D₄= D₃－D₀。

1. 和h款操作一樣，得到新的二個(gè)值之差，記為M₂。

3.  計(jì)算測(cè)試結(jié)果

被測(cè)樣品的介電常數(shù)：

Σ＝D₂ / D₄

被測(cè)樣品的損耗角正切值：

     tgδ＝K（M₁－M₂ ）/ 15.5

式中：K為園筒電容器線性變化率，一般為0.33 / mm，每個(gè)測(cè)試夾具在盒蓋內(nèi)標(biāo)有具體數(shù)值。

一般按以上公式計(jì)算的結(jié)果，其精度和重復(fù)性是能滿足的，但對(duì)介電常數(shù)大的被測(cè)樣品（即樣品從平板樣品放入和取出，平板電容器刻度值變化較大），邊緣效應(yīng)電容對(duì)測(cè)試會(huì)有較顯著的影響，這時(shí)可按下列公式計(jì)算：

Σ＝（C₂ + C_F2－C_F）/ C₁

tgδ＝K（M₁－M₂ ）/ 3.46（C₂ + C_F2－C_F）/ C₁